静电产生的原因:
常用物品的摩擦起电序列:
下表中越靠左侧的物品,越易产生负电荷;反之,越靠右侧的物品,越易产生正电荷。亦即,在序列中距离越远的物品之间相互接触分离或摩擦,产生的静电电位就越高。
(-) |
| (+) | ||||||||||||
| 聚 | 金 | 银 | 铜 | 硬 | 棉 | 纸 | 铝 | 羊 | 尼 | 人 | 玻 | 人 |
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典型的静电电压: |
静电电荷源 | 测得的电压(V) | |
10%--20%RH | 65%--90%RH | |
走过地毯 | 35000 | 1500 |
在聚烯烃类塑料地面行走 | 12000 | 250 |
工作台旁操作的工人 | 6000 | 100 |
翻动聚乙烯膜封皮的说明书 | 7000 | 600 |
从工作台拾起普通聚乙烯袋 | 20000 | 1200 |
垫有聚氨酯泡沫的工作椅 | 18000 | 1500 |
2.静电在工业生产中造成的危害
静电的产生在工业生产中是不可避免的,其造成的危害主要可归结为以下两种机理:
其一:静电放电(ESD)造成的危害:
(1) 引起电子设备的故障或误动作,造成电磁干扰。
(2) 击穿集成电路和精密的电子元件,或者促使元件老化,降低生产成品率。
(3) 高压静电放电造成电击,危及人身安全。
(4) 在多易燃易爆品或粉尘、油雾的生产场所极易引起爆炸和火灾。
其二,静电引力(ESA)造成的危害:
(1) 电子工业:吸附灰尘,造成集成电路和半导体元件的污染,大大降低成品率。
(2) 胶片和塑料工业:使胶片或薄膜收卷不齐;胶片、CD塑盘沾染灰尘,影响品质。
(3) 造纸印刷工业:纸张收卷不齐,套印不准,吸污严重,甚至纸张黏结,影响生产。
(4) 纺织工业:造成根丝飘动、缠花断头、纱线纠结等危害。
静电的危害有目共睹,现在越来越多的厂家已经开始实施各种程度的防静电措施和工程。但是,要认识到,完善有效的防静电工程要依照不同企业和不同作业对象的实际情况,制定相应的对策。防静电措施应是系统的、全面的,否则,可能会事倍功半,甚至造成破坏性的反作用。
静电放电(ESD)控制大纲要求 |
控制大纲计划 | 分级 | 设计保护(不包括零件设计) | 保护区 | 保护罩 | 操作程序 | 培训 | 硬件标记 | 文件 | 包装 | 质量保证规定检查和评定 | 失败分析 | |
设计 | - | |||||||||||
生产 | - | - | ||||||||||
检查和试验 | - | - | ||||||||||
贮存和运输 | - | - | - | |||||||||
安装 | - | - | - | |||||||||
维护和修理 | - | - | ||||||||||
注:" "表示考虑,"-"表示不考虑 |
美国联邦标准FS209的空气洁净度级别 |
级别名称 | 0.1um | 0.2um | 0.3um | 0.5um | 5um | |
容积单位 | 容积单位 | 容积单位 | 容积单位 | 容积单位 | ||
单位 | 英制单位 | (m3)(ft3) | (m3)(ft3) | (m3)(ft3) | (m3) (ft3) | (m3) (ft3) |
M1.5 | 1 | 1240 35.3 | 265 7.50 | 106 3.00 | 35.3 1.00 | ....... |
M2.5 | 10 | 1240 350 | 26500 750 | 1060 30.0 | 353 10.0 | ....... |
M3.5 | 100 | ... ... | 26500 750 | 10600 300 | 3530 100 | ....... |
M4.5 | 1000 | ... ... | ... ... | ... ... | 35300 100 | 247.7 7.00 |
M5.5 | 10000 | ... ... | ... ... | ... ... | 353000 1000 | 2470 70.0 |
M6.5 | 100000 | ... ... | ... ... | ... ... | 3530000 100000 | 247000 700 |
气载微业洁净等级(ISO 14644-1) |
ISO Classification Number | Maxlmum Concentrationlimit(particles/M3of air) | |||||
0.1um | 0.2um | 0.3um | 0.5um | 1um | 5um | |
ISI01 | 10 | 2 |
|
|
|
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ISI02 | 100 | 24 | 10 | 4 |
|
|
ISI03 | 1,000 | 237 | 102 | 35 |
|
|
ISI04 | 10,000 | 2,370 | 1020 | 352 | 83 |
|
ISI05 | 100,000 | 237,000 | 10,2000 | 3,520 | 832 | 29 |
ISI06 | 1,000,000 | 237,000 | 102,000 | 35,5200 | 8,320 | 293 |
ISI07 |
|
|
| 352,000 | 83,200 | 2,930 |
ISI08 |
|
|
| 3,520,000 | 832,000 | 29,300 |
ISI09 |
|
|
| 35,200,000 | 8,320,000 | 293,000 |
一些器件型的静电敏感电压值 |
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VMOS | 30-1800 | 运算放电器 | 190-2500 |
MOSEET | 100-200 | JEFT | 140-1000 |
GaAsFET | 100-300 | SCL | 680-1000 |
PROM | 100 | STTL | 300-2500 |
CMOS | 250-2000 | DTL | 380-7000 |
HMOS | 50-500 | 肖特基二极管 | 300-3000 |
E/DMOS | 200-1000 | 双极型晶件管 | 380-7000 |
ECL | 300-2500 | 石英压电晶体器件 | <10000 |
人体静电电击界限 |
静电电位,静电电容与还电体积蓄能量的关系曲线 |